PRODUKTINNOVATION
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Infineon - RF-Leistungstransistoren
Neue LDMOS RF-Leistungstransistoren mit 170 Watt für WiMAX-Breitbandapplikationen
Infineon Technologies hat zwei neue LDMOS RF-Leistungstransistoren
vorgestellt, die für den Einsatz in drahtlosen
Infrastrukturapplikationen wie WiMAX mit einem Frequenzband von 2,5 bis
2,7 GHz konzipiert wurden. Die neuen Transistoren erreichen
Spitzenleistungen von bis zu 170 Watt und erweitern Infineons Portfolio
von RF-Leistungstransistoren für WiMAX-Applikationen, zu denen
aktuell 10-Watt-, 45-Watt- und 130-Watt-Systeme gehören. Dank der
hohen Leistung der neuen Transistoren können Entwickler das Design
ihrer RF-Leistungsverstärker erheblich vereinfachen.
„Infineon hat sein umfangreiches Produktportfolio nun mit dem
branchenweit leistungsfähigsten RF-Leistungstransistor
ausgebaut“, kommentiert Helmut Vogler, Vice President und General
Manager für RF Power bei Infineon. „Durch die zunehmende
Verbreitung von WiMAX und anderen neuen Technologien für drahtlose
Infrastrukturen werden Produkte wie die LDMOS RF-Leistungstransistoren
von Infineon mit ihrem erweiterten Funktionsumfang zu einem
entscheidenden Element für jeden Entwickler. Dank der höheren
Spitzenleistung können die Entwickler das Design ihrer
Lösungen vereinfachen und die Materialkosten insgesamt
senken.“
Der PTFA260851E/F 85W FET von Infineon erreicht eine Verstärkung
von 14 dB (typisch) sowie eine Effizienz (PAE) von 22 Prozent (typisch)
bei einer durchschnittlichen Ausgangsleistung von 16 Watt unter
WiMAX-Signalbedingungen.
Der PTFA261702E 170W FET erreicht eine Verstärkung von 15 dB
(typisch) sowie eine Effizienz (PAE) von 20 Prozent (typisch) bei einer
durchschnittlichen Ausgangsleistung von 32 Watt unter
WiMAX-Signalbedingungen. Er ist für 170 Watt (P-1 dB) ausgelegt,
die branchenweit höchste Spitzenausgangsleistung im
Frequenzbereich 2,5 bis 2,7 GHz.
Der Transistor verfügt über elektrisch voneinander isolierte
Hälften, die den Einsatz in Doherty Leistungsverstärkern
vereinfachen. Er kann darüber hinaus in einer
Push-Pull-Konfiguration für eine höhere
Bandbreiten-Performance genutzt werden.
Beide Produkte sind in bleifreien, RoHS-konformen Keramik-Gehäusen
erhältlich. Die Transistoren werden mit einer Spannung von 28 Volt
betrieben. Sie bieten eine breitbandige interne Anpassung,
unterstützen ein Stehwellenverhältnis von 10:1 (VSWR –
Voltage Standing Wave Ratio) im CW-Modus (CW – continuous wave)
bei einer Versorgungsspannung von 28 Volt.
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