PRODUKTINNOVATION
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Mitsubishi Electric - rauscharme GaAs-HEMTs für KU-Band-LNAs
Mitsubishi Electric hat einen neuen GaAs-HEMT (High Electron Mobility Transistor, Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) mit der Typbezeichnung MGF4941AL auf den Markt gebracht, der vor allem für den Einsatz im KU-Band konzipiert ist. Zu den typischen Anwendungen zählen die rauscharmen Verstärker (LNAs = Low-Noise Amplifier) in DBS- und VSAT-Empfängern, die im Frequenzbereich 10 bis 12 GHz arbeiten.
Bei einer Frequenz von 12 GHz liefert der HEMT eine Leistungsverstärkung von 13,5 dB. Im Vergleich zu seinem Vorgänger MGF4953A ist die Verstärkung beim neuen MGF4941AL somit um 0,5 dB höher. Die Rauschzahl beträgt bei dem neuen Bauteil lediglich 0,35 dB. Der MGF494AL ist in dem neuen vierpoligen „Plastic Mold Package“ (Kunststoff-Vergussgehäuse) verfügbar.
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